來(lái)源:深圳市申思測(cè)控技術(shù)有限公司 發(fā)布時(shí)間:2019-01-07 瀏覽:3759
機(jī)械制造中,經(jīng)常會(huì)用到LVDT位移傳感器。不過(guò)設(shè)計(jì)LVDT位移傳感器要考慮的因素很多,設(shè)計(jì)師卻很少考慮如何在溫度變化可能會(huì)影響線性可變差動(dòng)變壓器(LVDT的)。然而,溫度變化足夠大的可以扭曲LVDT位移傳感器讀數(shù)。那么溫度變化對(duì)LVDT位移傳感器讀數(shù)有什么影響呢?接下來(lái)申思測(cè)控小編就來(lái)為大家詳細(xì)介紹下。
這種影響可以采取在LVDT位移傳感器輸出電平的移位的形式相對(duì)于它的核心位移。這就產(chǎn)生了一個(gè)縮放誤差。這是相同的縮放系數(shù)稍大或小于1的校正輸出信號(hào)相乘。
或者,它可以在空 - 參考輸出位置,用于校準(zhǔn)LVDT位移傳感器輸出開始或參考點(diǎn)的改變的形式。這種類型的錯(cuò)誤被稱為零移位或刻度偏移誤差。的效果是一樣的加上或減去一個(gè)小的恒定值來(lái)校準(zhǔn)輸出電壓。
上升的環(huán)境溫度產(chǎn)生在用于LVDT位移傳感器的初級(jí)和次級(jí)線圈的銅線的電阻高。高初級(jí)線圈的電阻纏繞增強(qiáng)阻抗和軍隊(duì)初級(jí)電流下降。這會(huì)影響輸出和感光度水平產(chǎn)生縮放誤差。
如果具有高阻抗負(fù)載被用在次級(jí)的繞組電阻的變化沒(méi)有同樣多的影響。但抵抗變化在二級(jí)將會(huì)考慮到權(quán)力轉(zhuǎn)移到低阻抗負(fù)載。例如,如果負(fù)載阻抗是比二次繞組電阻50×更大,50%上升次級(jí)電阻就只能通過(guò)降低大約1%的輸出電壓。
當(dāng)然,溫度的變化使材料膨脹或收縮按照膨脹它們的熱系數(shù)。
當(dāng)安裝一個(gè)LVDT,材料的使用,在膨脹系數(shù)的巨大差異可能會(huì)導(dǎo)致零偏移誤差。
這種方法的優(yōu)點(diǎn)是,它招致任何額外電路或空間。因此,設(shè)計(jì)人員必須量化溫度變化和訂購(gòu)特殊LVDT位移傳感器。錳銅線繞組也具有比銅繞組較高電阻,因此它們是較不敏感的,然后銅纏繞的LVDT位移傳感器。
恒流電源保持初級(jí)電流恒定,而電阻的變化。穩(wěn)定的初級(jí)電流有助于保持輸出電壓恒定的靈敏度。如果恒流源不可用,串聯(lián)在初級(jí)繞組的外部電阻有助于穩(wěn)定的電流。這個(gè)串聯(lián)電阻也應(yīng)該有一個(gè)負(fù)溫度系數(shù)來(lái)抵消繞組的正溫度系數(shù)。
串聯(lián)插入與初級(jí)或次級(jí)電路的熱敏電阻能夠補(bǔ)償隨溫度靈敏度的變化。因?yàn)檫@需要增加與溫度的上升下降的電阻,熱敏電阻必須有正確的負(fù)溫度系數(shù),以抵消將LVDT位移傳感器線圈的上升阻力。
總而言之,設(shè)計(jì)者可以通過(guò)仔細(xì)排列的機(jī)械布局,并通過(guò)用于安裝將LVDT位移傳感器材料的選擇減少刻度移誤差。
以上關(guān)于溫度變化對(duì)LVDT位移傳感器讀數(shù)的影響就為大家分享到這里,除此之外,為了提高LVDT位移傳感器的靈敏度,改善LVDT位移傳感器的線性度、增大傳感器的線性范圍,設(shè)計(jì)時(shí)將兩個(gè)線圈反串相接、兩個(gè)次級(jí)線圈的電壓極性相反,LVDT輸出的電壓是兩個(gè)次級(jí)線圈的電壓之差,這個(gè)輸出的電壓值與鐵心的位移量成線性關(guān)系。
備案號(hào):粵ICP備16025720號(hào) 粵公網(wǎng)安備 44030702000824號(hào)